Ионная имплантация схема установки

———————————————————
>>> СКАЧАТЬ ФАЙЛ <<<
———————————————————
Проверено, вирусов нет!
———————————————————

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.Изначально ионная имплантация применялась в микроэлектронике для изготовления больших интегральных схем. Ио́нная импланта́ция способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10 2000 КэВ). Короткие линии пробега ионов таких установок позволяют им работать в области энергий от 1 до 100-200 кэВ. Установки ионной имплантации на средних токах созданы для максимизации однородности доз и повторяемости. Установка ионной имплантации представляет собой вакуумную камеру, состоящую из ряда блоков, последовательно состыкованных с помощью уплотнений из вакуумной резины.Схема рабочей камеры (последнего блока установки) приведена на рис. 13. Ионная имплантация. Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области.Рис.7. Схема рабочей камеры установки ионной имплантации. Ионной имплантацией называют процесс внедрения ускоренных в электромагнитном поле ионов в пластину полупроводника.На рис. 1 представлена схема установки ионного легирования. Ионное легирование (имплантация) - это управляемое введение атомов в поверхностный слой подложки путем бомбардировки ее ионами с энергией от нескольких килоэлектрон-вольт до несколькихСхемы установок однотипны и содержат ряд основных узлов (рис.14.1). 2. Сущность и назначение ионной имплантации. 3. Физическое основы методы. 4. Схема установки.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. Установка для ионной имплантации «ВИТА» (принципиальная схема изображена на рис. 25) была разработана в лаборатории ионной бомбардировки института атомной энергии имени И.В. Курчатова и изготовлена на ПО «Молния». Рис. 1. Установка ионной имплантации. Рис. 2. Схема установки ионной имплантации: 1 – вакуумная камера; 2 – источник ионов; 3 – форвакуумный насос; 4 – высоковакуумный агрегат; 5 – вентиль предварительной откачки; 6 – вентиль основной откачки; 7 – натекатель; 8. Рисунок 9.4 – Принципиальная схема установки для ионной имплантации: 1–камера ионизации; 2–ускоряющие и фокусирующие линзы; 3–система сепарации ионов; 4–мишень; 5–система нагрева мишени; 6–поток ионов. Особенность ионного источника в установках для имплантации ионов заключается в необходимости создания потоков ионов самых разнообразных типов.Схема установки приведена на рис. 5.4. Схема установок для ионной имплантации [250, 251]: а − с послеускорением пучка (малых и средних доз); б − с предускорением пучка (с разделением ионов по массам после ускорения) Ионной имплантацией называют процесс внедрения ускоренных в электромагнитном поле ионов в пластину полупроводника.На рис. 1 представлена схема установки ИЛ. Упрощенная схема установки для ионной имплантации (ИИ) представлена на рис. 1.13. Непременной частью установки для ионной имплантации является вакуумный насос для создания низкого давления (менее 1 Па), обеспечивающего перемещение ионов с малым. Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.Кроме того, в камере поддерживается достаточно высокий вакуум, предотвращающий процесс нейтрализации ионов. Схема установки для ионнойимплантации приведена на рис. 1. 1 источник ионов.Изначально ионная имплантация применяласьв микроэлектронике для изготовления больших интегральных схем. Схема установки ионной имплантации: 1 – источник ионов; 2 – вытягивающие электроды; 3 – канал; 4 – магнитный сепаратор; 5 – системаВ технологическом процессе на стадии загонки примеси используется ионная имплантация, а в дальнейшем – диффузионная разгонка.